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二次離子質(zhì)譜儀原理的基本特征介紹

更新時(shí)間：2024-10-17瀏覽：1035次

　　二次離子質(zhì)譜儀是利用高能離子束轟擊樣品產(chǎn)生二次離子的質(zhì)譜儀。主要包括一次離子源、進(jìn)樣室、質(zhì)量分析儀、真空系統(tǒng)、數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)等部分，絕緣樣品還配有電荷補(bǔ)償電子中和槍，根據(jù)分析目的不同，還有不同的離子源，如氣體放源（O,Ar,Xe)，表面電離源（如Cs)，熱隙源如C60，以及液態(tài)金屬和團(tuán)簇源（Bin,Aun,Ga）等。二次離子質(zhì)譜儀原理的基本特征如下：

　　1.它的信息深度很小（比1nm還?。荒軌?qū)Σ牧系腪外層（原子層）的結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。

　　2.空間分辨率非常的高和樣品表面結(jié)構(gòu)（小于50nm）比較清晰。

　　3.能夠檢測質(zhì)量的范圍包括原子量單位低于12,000的所有材料，包括H和He等元素。

　　4.分子離子峰和官能團(tuán)碎片峰能夠同時(shí)給出；能夠?qū)衔锖陀袡C(jī)大分子的整體結(jié)構(gòu)方便地進(jìn)行分析。

　　5.雙束離子源可用于深度解析度小于1nm的樣品。

　　6.使樣品Z表層的1-3個(gè)原子的信息深度獲得；

　　7.能夠檢測同位素進(jìn)行同位素分析；

　　8.達(dá)到PPM-PPB水平的檢測極限。

　　9.能夠?qū)λ性睾突衔锿瑫r(shí)檢測，離子轉(zhuǎn)移率能夠達(dá)到100％。

　　10.使用GX的電子中和槍能夠?qū)^緣材料進(jìn)行準(zhǔn)確分析。